В роботі досліджувалася динаміка зміни інтенсивності фотолюмінесценції (ІФЛ) зразків поруватого кремнію (ПК), які під час їх старіння на повітрі зазнають дії лазерного опромінення (337 нм, 3.7 мВт). З'ясувалося, що під впливом УФ-опромінення ІФЛ швидко зростає і через кілька годин досягає "плато". Подальше опромінення призводить до спадання інтенсивності, що пояснюється ефектом втоми люмінесценції. В той же час для зразка, що не опромінювався, ІФЛ майже не змінюється за час експерименту. Виявилося, що на етапі початкового монотонного наростання ІФЛ після короткочасного (1-2 хвилини) припинення освітлення зразка лазером на кривій еволюції ІФЛ спостерігається аномалія у вигляді невеликого сплеску вниз, тоді як на ділянках монотонного спадання кривої ІФЛ ця аномалія являє собою сплеск угору. У випадку довготривалого (десятки годин) припинення освітлення аномалія була однотипною для всіх ділянок кривої ІФЛ. Описані результати пояснюються впливом двох конкурентних факторів: втоми люмінесценції та формування під дією світла нестабільних (молекулярних) хімічних зв'язків, які можуть перетворюватися на стабільні атомні.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Розроблено методику одержання однорідних нанопоруватих шарів кремнію з великою внутрішньою поверхнею на підкладках для сонячних елементів за допомогою методу хімічного травлення. Випромінюючі та структурні властивості цих шарів вивчено за допомогою методів фотолюмінесценції, збудження фотолюмінесценції, Оже-електронної спектроскопії, атомної силової мікроскопії і скануючої тунельної мікроскопії. Виявлено, що нанопоруваті шари однорідні й їх товщина ~ 20 - 25 нм. Показано, що інтенсивність фотолюмінесценції таких шарів вище, ніж інтенсивність фотолюмінесценції шарів поруватого кремнію, одержаного на стандартних підкладках за однакових умов, що пов'язано з більшою площею внутрішньої поверхні. Спостережено збільшення інтенсивності фотолюмінесценції у процесі старіння на повітрі за умов кімнатної температури.

IR spectroscopy study indicates on the change of relative concentration of interstitial oxygen in silicon monocrystals after their treatment by magnetic field. This is evidence of considerable effect of magnetic field on the defect structure of the crystals investigated.

Індекс рубрикатора НБУВ: Ж364.063 + В372.7

Рубрики:

Фізичні властивості композиційних матеріалів

Радіаційні ефекти у твердих тілах

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222 + В379.226 + В379.251.4

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Тонкі шари напівпровідників

Кристалізація

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

За допомогою методів оже та раманівської спектроскопії, рентгенівського флуоресцентного аналізу та електронної мікроскопії досліджено особливості мікроструктури тонких плівок сплаву Si - Sn, виготовлених термовакуумним співвипаровуванням Si та Sn. Досліджено властивості плівок із вмістом Sn в інтервалі від 1 до 5 вагових відсотків. Встановлено суттєвий вплив олова на формування мікрорельєфу поверхні плівок і нанокристалів у аморфній матриці. Квазісферичні утворення на поверхні плівок можуть сягати розмірів порядку 100 нм. Частка нанокристалічної кремнієвої фази в плівці може досягати 90 % її об'єму. Проаналізовано роль умов та швидкості росту плівок у розподілі концентрації Sn і технологічних домішок C і O по поверхні та товщині плівок.

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.4

Рубрики:

Аморфний (склоподібний) стан твердого тіла

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В376

Рубрики:

Механічні властивості монокристалів

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Исследовано влияние слабого постоянного магнитного поля на структуру и зарядовое состояние кремния для солнечной энергетики. Обнаружено, что магнитостимулированные изменения дефектно-примесного состояния и поверхностного потенциала носят обратимый характер.

Індекс рубрикатора НБУВ: Г511.21

Рубрики:

Види хімічного зв'язку. Міжмолекулярні взаємодії

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Досліджено роль імпульсного електричного струму у формуванні залишкового електропластичного ефекту й ефекту "електричної пам'яті" дислокаційних кристалів кремнію. Встановлено, що характер виявлених ефектів регулюється параметрами електронного збудження й обумовлюється зв'язком між зарядовим станом і його релаксацією у нерухомих і рухомих дислокаціях.

Проведено порівняльний аналіз зразків пористого кремнію двох типів, одержаних за різних умов анодного травлення на одній підкладці. Одержано спектри фотолюмінесценції для різних типів пористого кремнію. Вивчено елементний склад поверхні. Досліджено структуру одержаного пористого кремнію, товщина якого варіює від 56 нм до 268 нм.

Індекс рубрикатора НБУВ: К663.033-18

Рубрики:

Металізація металів розпилюванням (шоопірування)

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

За допомогою спектроскопії фотолюмінесценції (ФЛ) та ІЧ поглинання досліджено зміни, що відбуваються у процесі старіння травлених у HF зразків поруватого кремнію (ПК). Поведінка ФЛ травлених зразків залежить від тривалості попереднього експонування ПК на повітрі після анодування та, відповідно, початкового квантового виходу люмінесценції. Одержані результати пояснюються модифікацією структури ПК протягом травлення й окиснення зразків.

Індекс рубрикатора НБУВ: Ж364.062

Рубрики:

Механічні властивості композиційних матеріалів

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Представлено модель для прогнозування коефіцієнта тріщиностійкості (ТС) двофазного керамічного матеріалу, що базується на оцінці вкладу у ТС зерен другої фази, виходячи з їх розмірів, фізико-механічних властивостей і враховуючи можливість огинання їх фронтом тріщини. Показано, що залежність ТС зернистого композита від об'ємного вмісту високомодульних включень має екстремальний характер, причому як величина, так і положення максимуму залежить від співвідношення між розмірами зерен матриці та включень.

Досліджено зміну мікротвердості кристалів германію в результаті дії слабкого постійного магнітного поля. Встановлено, що магнітомеханічний ефект, тобто відносна зміна мікротвердості, з часом релаксує. Одержані результати вказують на те, що фізична природа ефекту пов'язана з спін-залежними реакціями у підсистемі точкових дефектів.

Вивчено магніторезонансний вплив і дію мікрохвильового надвисокочастотного магнітного поля на мікротвердість кристалів кремнію. Встановлено, що дія надвисокочастотного поля викликає зменшення мікротвердості, яка не релаксує до вихідного значення протягом тривалого часу (~ 50 діб). Запропоновано механізм виявлених фізичних ефектів.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.273

Рубрики:

Магнітні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ